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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXTR32P60P

IXTR32P60P

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Numero de parte
IXTR32P60P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTR32P60P.pdf
Total:$14.30067
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$14.30067

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Numero de parte
IXTR32P60P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
18A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
385 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
196nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
11100pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
310W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
ISOPLUS247™
Paquete / Caja
ISOPLUS247™

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