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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single XP161A11A1PR-G

XP161A11A1PR-G

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Numero de parte
XP161A11A1PR-G
Fabricante
Torex Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 4A SOT89
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
XP161A11A1PR-G.pdf
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Numero de parte
XP161A11A1PR-G
Fabricante
Torex Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 4A SOT89
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
270pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-89
Paquete / Caja
TO-243AA

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