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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single BSC039N06NSATMA1

BSC039N06NSATMA1

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Numero de parte
BSC039N06NSATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BSC039N06NSATMA1.pdf
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Numero de parte
BSC039N06NSATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
19A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.8V @ 36µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2000pF @ 30V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TDSON-8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

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