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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single 2N6796

2N6796

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Numero de parte
2N6796
Fabricante
Microsemi
Descripción
MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
2N6796
Fabricante
Microsemi
Descripción
MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6.34nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-39
Paquete / Caja
TO-205AF Metal Can

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