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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXFP56N30X3M

IXFP56N30X3M

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Numero de parte
IXFP56N30X3M
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
FET N-CHANNEL
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXFP56N30X3M.pdf
Total:$6.58000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$6.58000

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Numero de parte
IXFP56N30X3M
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
FET N-CHANNEL
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
300V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
56A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3750pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220 Isolated Tab
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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