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HS1KL RQG

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Numero de parte
HS1KL RQG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descripción
DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
HS1KL RQG.pdf
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Numero de parte
HS1KL RQG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descripción
DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Estado de la pieza
Active
Tipo de diodo
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.)
800V
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si
1.7V @ 1A
Velocidad
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)
75ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr
5µA @ 800V
Capacitancia a Vr, F
15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
DO-219AB
Paquete del dispositivo del proveedor
Sub SMA
Temperatura de funcionamiento - Unión
-55°C ~ 150°C

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