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SI5402DC-T1-GE3

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Numero de parte
SI5402DC-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SI5402DC-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SI5402DC-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4.9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
1206-8 ChipFET™
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead

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