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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single 2SK2009TE85LF

2SK2009TE85LF

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Numero de parte
2SK2009TE85LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.18755
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$0.18755

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Numero de parte
2SK2009TE85LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
200mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 50MA, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
70pF @ 3V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SC-59-3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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