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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos IRLHS6376TRPBF

IRLHS6376TRPBF

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Numero de parte
IRLHS6376TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRLHS6376TRPBF.pdf
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Numero de parte
IRLHS6376TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.1V @ 10µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
270pF @ 25V
Potencia - max
1.5W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-VDFN Exposed Pad
Paquete del dispositivo del proveedor
6-PQFN (2x2)

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