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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXFQ50N50P3

IXFQ50N50P3

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Numero de parte
IXFQ50N50P3
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXFQ50N50P3.pdf
Total:$7.33000
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$7.33000

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Numero de parte
IXFQ50N50P3
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
50A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4335pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
960W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3

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