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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single QS5U16TR

QS5U16TR

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Numero de parte
QS5U16TR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
QS5U16TR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3.9nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
175pF @ 10V
Característica FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)
900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TSMT5
Paquete / Caja
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

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