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FDFM2P110

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Numero de parte
FDFM2P110
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDFM2P110.pdf
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Numero de parte
FDFM2P110
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
280pF @ 10V
Característica FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
MicroFET 3x3mm
Paquete / Caja
6-WDFN Exposed Pad

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