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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDA33N25

FDA33N25

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Numero de parte
FDA33N25
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDA33N25.pdf
Total:$3.22000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$3.22000

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Numero de parte
FDA33N25
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
33A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
94 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
46.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2200pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
245W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3PN
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3

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