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IRF7700GTRPBF

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Numero de parte
IRF7700GTRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRF7700GTRPBF.pdf
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Numero de parte
IRF7700GTRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
8.6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 8.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
89nC @ 5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4300pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-TSSOP
Paquete / Caja
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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