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PMFPB8032XP,115

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Numero de parte
PMFPB8032XP,115
Fabricante
Nexperia
Descripción
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
PMFPB8032XP,115.pdf
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Numero de parte
PMFPB8032XP,115
Fabricante
Nexperia
Descripción
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
2.7A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
550pF @ 10V
Característica FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)
485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
6-HUSON-EP (2x2)
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad

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