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NTE4151PT1G

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Numero de parte
NTE4151PT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.10058
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Numero de parte
NTE4151PT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
760mA (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
2.1nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
156pF @ 5V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
313mW (Tj)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SC-89-3
Paquete / Caja
SC-89, SOT-490

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