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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IRFR812TRPBF

IRFR812TRPBF

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Numero de parte
IRFR812TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRFR812TRPBF.pdf
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$0.43250

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Numero de parte
IRFR812TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
810pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
D-Pak
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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