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IXTQ36N50P

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Numero de parte
IXTQ36N50P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTQ36N50P.pdf
Total:$6.90000
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1pcs
$6.90000

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Numero de parte
IXTQ36N50P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
36A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5500pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
540W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3

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