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APT10M11B2VFRG

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Numero de parte
APT10M11B2VFRG
Fabricante
Microsemi
Descripción
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
APT10M11B2VFRG
Fabricante
Microsemi
Descripción
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
450nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
10300pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
T-MAX™
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant

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