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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPB025N10N3GE8187ATMA1

IPB025N10N3GE8187ATMA1

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Numero de parte
IPB025N10N3GE8187ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPB025N10N3GE8187ATMA1.pdf
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Numero de parte
IPB025N10N3GE8187ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
180A
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 275µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
206nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
14800pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO263-7
Paquete / Caja
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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