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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single APT4F120K

APT4F120K

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Numero de parte
APT4F120K
Fabricante
Microsemi
Descripción
MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
APT4F120K
Fabricante
Microsemi
Descripción
MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1385pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
225W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3

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