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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXFT320N10T2

IXFT320N10T2

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Numero de parte
IXFT320N10T2
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 100V 320A TO-26
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXFT320N10T2.pdf
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$12.08067

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Numero de parte
IXFT320N10T2
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 100V 320A TO-26
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
320A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
430nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
26000pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1000W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-268
Paquete / Caja
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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