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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXTY02N120P

IXTY02N120P

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Numero de parte
IXTY02N120P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTY02N120P.pdf
Total:$1.32500
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$1.32500

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Numero de parte
IXTY02N120P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
200mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4.7nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
104pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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