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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

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Numero de parte
ZXMHN6A07T8TA
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
ZXMHN6A07T8TA.pdf
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Numero de parte
ZXMHN6A07T8TA
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
4 N-Channel (H-Bridge)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
166pF @ 40V
Potencia - max
1.6W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-223-8
Paquete del dispositivo del proveedor
SM8

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