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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single TK6A60D(STA4,Q,M)

TK6A60D(STA4,Q,M)

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Numero de parte
TK6A60D(STA4,Q,M)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$1.66000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$1.66000

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Numero de parte
TK6A60D(STA4,Q,M)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.25 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
800pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

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