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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos CSD83325LT

CSD83325LT

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Numero de parte
CSD83325LT
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
CSD83325LT.pdf
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Numero de parte
CSD83325LT
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10.9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Potencia - max
2.3W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-XFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor
6-PicoStar

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