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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

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Numero de parte
DMTH10H010SPS-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMTH10H010SPS-13.pdf
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Numero de parte
DMTH10H010SPS-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
11.8A (Ta), 123A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
56.4nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4.468nF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerDI5060-8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

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