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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single STP315N10F7

STP315N10F7

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Numero de parte
STP315N10F7
Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
STP315N10F7.pdf
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$6.59000

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Numero de parte
STP315N10F7
Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
180A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
12800pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
315W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3

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