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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SI4836DY-T1-GE3

SI4836DY-T1-GE3

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Numero de parte
SI4836DY-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SI4836DY-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SI4836DY-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
17A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 25A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
400mV @ 250µA (Min)
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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