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IPS13N03LA G

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Numero de parte
IPS13N03LA G
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPS13N03LA G.pdf
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Numero de parte
IPS13N03LA G
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1043pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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