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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPI530N15N3GXKSA1

IPI530N15N3GXKSA1

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Numero de parte
IPI530N15N3GXKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPI530N15N3GXKSA1.pdf
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Numero de parte
IPI530N15N3GXKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
21A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
53 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 35µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
887pF @ 75V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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