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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - IGBTs - Single HGTP5N120BND

HGTP5N120BND

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Numero de parte
HGTP5N120BND
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
HGTP5N120BND.pdf
Total:$1.65411
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$1.65411

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Numero de parte
HGTP5N120BND
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo IGBT
NPT
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
1200V
Corriente - Colector (Ic) (Max)
21A
Corriente - Colector Pulsado (Icm)
40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 5A
Potencia - max
167W
Energía de conmutación
450µJ (on), 390µJ (off)
Tipo de entrada
Standard
Carga de la puerta
53nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C
22ns/160ns
Condición de prueba
960V, 5A, 25 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inverso (trr)
65ns
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-3

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