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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SSM3K302T(TE85L,F)

SSM3K302T(TE85L,F)

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Numero de parte
SSM3K302T(TE85L,F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SSM3K302T(TE85L,F).pdf
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Numero de parte
SSM3K302T(TE85L,F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
71 mOhm @ 2A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4.3nC @ 4V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
270pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TSM
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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