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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXTT2N170D2

IXTT2N170D2

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Numero de parte
IXTT2N170D2
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTT2N170D2.pdf
Total:$19.07000
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$19.07000

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Numero de parte
IXTT2N170D2
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
1700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
2A (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3650pF @ 25V
Característica FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (max)
568W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-268
Paquete / Caja
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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