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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FQI7N80TU

FQI7N80TU

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Numero de parte
FQI7N80TU
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FQI7N80TU.pdf
Total:$1.29323
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$1.29323

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Numero de parte
FQI7N80TU
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
6.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1850pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.13W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
I2PAK (TO-262)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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