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BUZ30AHXKSA1

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Numero de parte
BUZ30AHXKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BUZ30AHXKSA1.pdf
Total:$2.41000
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$2.41000

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Numero de parte
BUZ30AHXKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
21A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1900pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3

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