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SI2334DS-T1-GE3

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Numero de parte
SI2334DS-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SI2334DS-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SI2334DS-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4.9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
634pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.3W (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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