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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDD306P

FDD306P

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Numero de parte
FDD306P
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDD306P.pdf
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Numero de parte
FDD306P
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
6.7A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1290pF @ 6V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
52W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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