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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single ZXMN2A01FTA

ZXMN2A01FTA

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Numero de parte
ZXMN2A01FTA
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
ZXMN2A01FTA.pdf
Total:$0.14520
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$0.14520

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Numero de parte
ZXMN2A01FTA
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
303pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
625mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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