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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXTU01N100D

IXTU01N100D

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Numero de parte
IXTU01N100D
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTU01N100D.pdf
Total:$1.20400
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$1.20400

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Numero de parte
IXTU01N100D
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
100mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
120pF @ 25V
Característica FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (max)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-251
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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