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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPZ40N04S58R4ATMA1

IPZ40N04S58R4ATMA1

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Numero de parte
IPZ40N04S58R4ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 8TDSON
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPZ40N04S58R4ATMA1.pdf
Total:$0.31675
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Numero de parte
IPZ40N04S58R4ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 8TDSON
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
40A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.4V @ 10µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
13.7nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
771pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
34W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TSDSON-8-32
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

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