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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDZ661PZ

FDZ661PZ

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Numero de parte
FDZ661PZ
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDZ661PZ.pdf
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Numero de parte
FDZ661PZ
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
2.6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.8nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
555pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
4-WLCSP (0.8x0.8)
Paquete / Caja
4-XFBGA, WLCSP

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