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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single R5205CNDTL

R5205CNDTL

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Numero de parte
R5205CNDTL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.83300
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$0.83300

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Numero de parte
R5205CNDTL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
525V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
320pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
CPT3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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