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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single ZXMP10A17E6QTA

ZXMP10A17E6QTA

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Numero de parte
ZXMP10A17E6QTA
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
ZXMP10A17E6QTA.pdf
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Numero de parte
ZXMP10A17E6QTA
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10.7nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
424pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-26
Paquete / Caja
SOT-23-6

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