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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single 5LN01C-TB-E

5LN01C-TB-E

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Numero de parte
5LN01C-TB-E
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
5LN01C-TB-E.pdf
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Numero de parte
5LN01C-TB-E
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
50V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
100mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.57nC @ 10V
Vgs (Max)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
6.6pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
250mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
3-CP
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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