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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single TPH3207WS

TPH3207WS

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Numero de parte
TPH3207WS
Fabricante
Transphorm
Descripción
GANFET N-CH 650V 50A TO247
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$34.40000
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$34.40000

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Numero de parte
TPH3207WS
Fabricante
Transphorm
Descripción
GANFET N-CH 650V 50A TO247
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
50A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41 mOhm @ 32A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.65V @ 700µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 8V
Vgs (Max)
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2197pF @ 400V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
178W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3

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