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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IRF7811A

IRF7811A

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Numero de parte
IRF7811A
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRF7811A.pdf
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Numero de parte
IRF7811A
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
28V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
11A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1760pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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