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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SI8821EDB-T2-E1

SI8821EDB-T2-E1

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Numero de parte
SI8821EDB-T2-E1
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SI8821EDB-T2-E1.pdf
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Numero de parte
SI8821EDB-T2-E1
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
-
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
135 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
440pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
4-Microfoot
Paquete / Caja
4-XFBGA, CSPBGA

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