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TB2S-G

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Numero de parte
TB2S-G
Fabricante
Comchip Technology
Descripción
BRIDGE RECT 1P 200V 800MA 4TBS
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
TB2S-G.pdf
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Numero de parte
TB2S-G
Fabricante
Comchip Technology
Descripción
BRIDGE RECT 1P 200V 800MA 4TBS
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de diodo
Single Phase
Tecnología
Standard
Voltaje: pico inverso (máximo)
200V
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
800mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si
950mV @ 400mA
Corriente - Fuga inversa @ Vr
10µA @ 200V
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
4-SMD, Gull Wing
Paquete del dispositivo del proveedor
4-TBS

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