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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NTD4806NA-35G

NTD4806NA-35G

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Numero de parte
NTD4806NA-35G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
NTD4806NA-35G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
11.3A (Ta), 79A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 4.5V
Vgs (Max)
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2142pF @ 12V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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